8 դյույմ սիլիկոնային վաֆլի P/N տիպի (100) 1-100Ω կեղծ ռեկուլտիվ սուբստրատ

8 դյույմանոց սիլիկոնային վաֆլի P/N տիպի (100) 1-100Ω կեղծ ռեկուլտիվ սուբստրատ Առաջարկվող պատկեր

Կարճ նկարագրություն:

Երկկողմանի փայլեցված վաֆլիների մեծ պաշար, բոլոր վաֆլիները 50-ից մինչև 400 մմ տրամագծով Եթե ձեր սպեցիֆիկացիաները հասանելի չեն մեր գույքագրման մեջ, մենք երկարաժամկետ հարաբերություններ ենք հաստատել բազմաթիվ մատակարարների հետ, ովքեր ի վիճակի են պատվերով պատրաստել վաֆլիներ՝ հարմարեցնելու ցանկացած եզակի առանձնահատկություն:Երկկողմանի փայլեցված վաֆլիները կարող են օգտագործվել սիլիցիումի, ապակու և այլ նյութերի համար, որոնք սովորաբար օգտագործվում են կիսահաղորդչային արդյունաբերության մեջ:

Նամակ ուղարկեք մեզ

Ապրանքի մանրամասն

Ապրանքի պիտակներ

Վաֆլի տուփի ներկայացում

8 դյույմանոց սիլիկոնային վաֆլը սովորաբար օգտագործվող սիլիցիումային ենթաշերտի նյութ է և լայնորեն օգտագործվում է ինտեգրալային սխեմաների արտադրության գործընթացում:Նման սիլիկոնային վաֆլիները սովորաբար օգտագործվում են տարբեր տեսակի ինտեգրալ սխեմաների, ներառյալ միկրոպրոցեսորների, հիշողության չիպերի, սենսորների և այլ էլեկտրոնային սարքերի պատրաստման համար:8 դյույմանոց սիլիկոնային վաֆլիները սովորաբար օգտագործվում են համեմատաբար մեծ չափսերի չիպեր պատրաստելու համար, որոնց առավելությունները ներառում են ավելի մեծ մակերես և մեկ սիլիկոնային վաֆլի վրա ավելի շատ չիպսեր պատրաստելու հնարավորություն, ինչը հանգեցնում է արտադրության արդյունավետության բարձրացման:8 դյույմանոց սիլիկոնային վաֆլի ունի նաև լավ մեխանիկական և քիմիական հատկություններ, ինչը հարմար է լայնածավալ ինտեգրալ շղթայի արտադրության համար:

Ապրանքի Նկարագրություն

8" P/N տիպ, փայլեցված սիլիկոնային վաֆլի (25 հատ)

Կողմնորոշումը՝ 200

Դիմադրողականություն՝ 0,1 - 40 ohm•cm (Այն կարող է տարբեր լինել խմբաքանակից խմբաքանակ)

Հաստությունը՝ 725+/-20 մմ

Prime/Monitor/Test Grade

ՆՅՈՒԹԱԿԱՆ ՀԱՏԿՈՒԹՅՈՒՆՆԵՐ

Պարամետր	Բնութագրական
Տեսակ/Դոպանտ	P, բոր N, ֆոսֆոր N, անտիմոն N, մկնդեղ
Կողմնորոշումներ	<100>, <111> կտրել կողմնորոշումները` ըստ հաճախորդի բնութագրերի
Թթվածնի պարունակությունը	10¹⁹ppmA Պատվերով հանդուրժողականություններ՝ ըստ հաճախորդի բնութագրերի
Ածխածնի պարունակությունը	< 0,6 ppmA

ՄԵԽԱՆԻԿԱԿԱՆ ՀԱՏԿՈՒԹՅՈՒՆՆԵՐ

Պարամետր	Պրայմ	Մոնիտոր/Թեստ Ա	Փորձարկում
Տրամագիծը	200±0.2 մմ	200 ± 0,2 մմ	200 ± 0,5 մմ
Հաստություն	725±20 մկմ (ստանդարտ)	725±25 մկմ (ստանդարտ) 450±25 մկմ 625±25 մկմ 1000±25 մկմ 1300±25 մկմ 1500±25 մկմ	725±50 մկմ (ստանդարտ)
TTV	< 5 մկմ	< 10 մկմ	< 15 մկմ
Խոնարհվել	<30 մկմ	<30 մկմ	< 50 մկմ
Պատել	<30 մկմ	<30 մկմ	< 50 մկմ
Եզրերի կլորացում	ԿԻՍԱՍՊՎ
Նշում	Միայն հիմնական ԿԻՍԱԲնակարան, ԿԻՍԱՍՏՎ բնակարաններ Jeida Flat, Notch

Պարամետր	Պրայմ	Մոնիտոր/Թեստ Ա	Փորձարկում
Առջևի կողմի չափանիշները
Մակերեսային վիճակ	Քիմիական մեխանիկական փայլեցված	Քիմիական մեխանիկական փայլեցված	Քիմիական մեխանիկական փայլեցված
Մակերեւույթի կոպտություն	< 2 A°	< 2 A°	< 2 A°
Աղտոտվածություն Մասնիկներ@ >0,3 մկմ	= 20	= 20	= 30
Մշուշ, փոսեր նարնջի կեղեւ	Ոչ ոք	Ոչ ոք	Ոչ ոք
Saw, Marks Շերտավորումներ	Ոչ ոք	Ոչ ոք	Ոչ ոք
Հետևի կողմի չափանիշները
Ճեղքեր, ագռավի ոտքեր, սղոցի հետքեր, բծեր	Ոչ ոք	Ոչ ոք	Ոչ ոք
Մակերեսային վիճակ	Կաուստիկ փորագրված