150mm 6 inch 0.7mm 0.5mm Sapphire Wafer Substrate Carrier C-Plane SSP/DSP

Կարճ նկարագրություն.

Վերոհիշյալ բոլորը շափյուղա բյուրեղների ճիշտ նկարագրություններն են: Շափյուղայի բյուրեղի գերազանց կատարումը ստիպում է այն լայնորեն օգտագործել բարձրակարգ տեխնիկական ոլորտներում: LED արդյունաբերության արագ զարգացման հետ մեկտեղ աճում է նաև շափյուղա բյուրեղյա նյութերի պահանջարկը:


Ապրանքի մանրամասն

Ապրանքի պիտակներ

Դիմումներ

6 դյույմանոց շափյուղա վաֆլիների համար կիրառությունները ներառում են.

1. LED արտադրություն. շափյուղա վաֆլի կարող է օգտագործվել որպես LED չիպերի հիմք, և դրա կարծրությունը և ջերմային հաղորդունակությունը կարող են բարելավել LED չիպերի կայունությունը և ծառայության ժամկետը:

2. Լազերային արտադրություն. շափյուղայից վաֆլը կարող է օգտագործվել նաև որպես լազերային հիմք, որը կօգնի բարելավել լազերային աշխատանքը և երկարացնել ծառայության ժամկետը:

3. Կիսահաղորդիչների արտադրություն. շափյուղա վաֆլիները լայնորեն օգտագործվում են էլեկտրոնային և օպտոէլեկտրոնային սարքերի արտադրության մեջ, ներառյալ օպտիկական սինթեզը, արևային բջիջները, բարձր հաճախականությամբ էլեկտրոնային սարքերը և այլն:

4. Այլ կիրառումներ. Շափյուղա վաֆլի կարող է օգտագործվել նաև սենսորային էկրան, օպտիկական սարքեր, բարակ թաղանթով արևային բջիջներ և բարձր տեխնոլոգիական այլ ապրանքներ արտադրելու համար:

Հստակեցում

Նյութ Բարձր մաքրության միայնակ բյուրեղյա Al2O3, շափյուղա վաֆլի:
Չափը 150 մմ +/- 0,05 մմ, 6 դյույմ
Հաստություն 1300 +/- 25 ում
Կողմնորոշում C ինքնաթիռ (0001) դուրս M (1-100) ինքնաթիռ 0,2 +/- 0,05 աստիճան
Առաջնային հարթ կողմնորոշում Ինքնաթիռ +/- 1 աստիճան
Առաջնային հարթ երկարություն 47,5 մմ +/- 1 մմ
Ընդհանուր հաստության տատանումներ (TTV) <20 um
Խոնարհվել <25 um
Շեղել <25 um
Ջերմային ընդարձակման գործակից 6,66 x 10-6 / °C C առանցքին զուգահեռ, 5 x 10-6 /°C C առանցքին ուղղահայաց
Դիէլեկտրիկ ուժ 4,8 x 105 Վ/սմ
Դիէլեկտրիկ հաստատուն 11,5 (1 ՄՀց) C առանցքի երկայնքով, 9,3 (1 ՄՀց) C առանցքին ուղղահայաց
Դիէլեկտրիկ կորստի շոշափում (նույնպես ցրման գործոն) 1 x 10-4-ից պակաս
Ջերմային հաղորդունակություն 40 W/(mK) 20℃-ում
Փայլեցում միակողմանի փայլեցված (SSP) կամ երկկողմանի փայլեցված (DSP) Ra <0,5 նմ (AFM-ով): SSP վաֆլի հակառակ կողմը մանրացված էր մինչև Ra = 0.8 - 1.2 um:
Փոխանցում 88% +/-1 % @460 նմ

Մանրամասն դիագրամ

6 դյույմ շափյուղա վաֆլի4
6 դյույմ շափյուղա վաֆլի5

  • Նախորդը:
  • Հաջորդը:

  • Գրեք ձեր հաղորդագրությունը այստեղ և ուղարկեք այն մեզ