8 դյույմ սիլիկոնային վաֆլի P/N տիպի (100) 1-100Ω կեղծ ռեկուլտիվ սուբստրատ
Վաֆլի տուփի ներկայացում
8 դյույմանոց սիլիկոնային վաֆլը սովորաբար օգտագործվող սիլիցիումային ենթաշերտի նյութ է և լայնորեն օգտագործվում է ինտեգրալային սխեմաների արտադրության գործընթացում: Նման սիլիկոնային վաֆլիները սովորաբար օգտագործվում են տարբեր տեսակի ինտեգրալ սխեմաների, ներառյալ միկրոպրոցեսորների, հիշողության չիպերի, սենսորների և այլ էլեկտրոնային սարքերի պատրաստման համար: 8 դյույմանոց սիլիկոնային վաֆլիները սովորաբար օգտագործվում են համեմատաբար մեծ չափսերի չիպեր պատրաստելու համար, որոնց առավելությունները ներառում են ավելի մեծ մակերես և մեկ սիլիկոնային վաֆլի վրա ավելի շատ չիպսեր պատրաստելու հնարավորություն, ինչը հանգեցնում է արտադրության արդյունավետության բարձրացման: 8 դյույմանոց սիլիկոնային վաֆլի ունի նաև լավ մեխանիկական և քիմիական հատկություններ, ինչը հարմար է լայնածավալ ինտեգրալ շղթայի արտադրության համար:
Ապրանքի առանձնահատկությունները
8" P/N տիպ, փայլեցված սիլիկոնային վաֆլի (25 հատ)
Կողմնորոշումը՝ 200
Դիմադրողականություն՝ 0,1 - 40 ohm•cm (Այն կարող է տարբեր լինել խմբաքանակից խմբաքանակ)
Հաստությունը՝ 725+/-20 մմ
Prime/Monitor/Test Grade
ՆՅՈՒԹԱԿԱՆ ՀԱՏԿՈՒԹՅՈՒՆՆԵՐ
Պարամետր | Բնութագրական |
Տեսակ/Դոպանտ | P, բոր N, ֆոսֆոր N, անտիմոն N, մկնդեղ |
Կողմնորոշումներ | <100>, <111> կտրել կողմնորոշումները` ըստ հաճախորդի բնութագրերի |
Թթվածնի պարունակությունը | 1019ppmA Պատվերով հանդուրժողականություններ՝ ըստ հաճախորդի բնութագրերի |
Ածխածնի պարունակությունը | < 0,6 ppmA |
ՄԵԽԱՆԻԿԱԿԱՆ ՀԱՏԿՈՒԹՅՈՒՆՆԵՐ
Պարամետր | Պրայմ | Մոնիտոր/Թեստ Ա | Փորձարկում |
Տրամագիծը | 200±0,2 մմ | 200 ± 0,2 մմ | 200 ± 0,5 մմ |
Հաստությունը | 725±20 մկմ (ստանդարտ) | 725±25 մկմ (ստանդարտ) 450±25 մկմ 625±25 մկմ 1000±25 մկմ 1300±25 մկմ 1500±25 մկմ | 725±50 մկմ (ստանդարտ) |
TTV | < 5 մկմ | < 10 մկմ | < 15 մկմ |
Խոնարհվել | <30 մկմ | <30 մկմ | < 50 մկմ |
Փաթաթել | <30 մկմ | <30 մկմ | < 50 մկմ |
Եզրերի կլորացում | ԿԻՍԱՍՊՎ | ||
Նշում | Միայն հիմնական ԿԻՍԱԲնակարան, ԿԻՍԱՍՏՎ բնակարաններ Jeida Flat, Notch |
Պարամետր | Պրայմ | Մոնիտոր/Թեստ Ա | Փորձարկում |
Առջևի կողմի չափանիշները | |||
Մակերեսային վիճակ | Քիմիական մեխանիկական փայլեցված | Քիմիական մեխանիկական փայլեցված | Քիմիական մեխանիկական փայլեցված |
Մակերեւույթի կոպտություն | < 2 A° | < 2 A° | < 2 A° |
Աղտոտվածություն Մասնիկներ@ >0,3 մկմ | = 20 | = 20 | = 30 |
Մշուշ, փոսեր Նարնջի կեղև | Ոչ մեկը | Ոչ մեկը | Ոչ մեկը |
Saw, Marks Շերտավորումներ | Ոչ մեկը | Ոչ մեկը | Ոչ մեկը |
Հետևի կողմի չափանիշները | |||
Ճեղքեր, ագռավի ոտքեր, սղոցի հետքեր, բծեր | Ոչ մեկը | Ոչ մեկը | Ոչ մեկը |
Մակերեսային վիճակ | Կաուստիկ փորագրված |