8 դյույմ սիլիկոնային վաֆլի P/N տիպի (100) 1-100Ω կեղծ ռեկուլտիվ սուբստրատ

Կարճ նկարագրություն.

Երկկողմանի փայլեցված վաֆլիների մեծ պաշար, բոլոր վաֆլիները 50-ից մինչև 400 մմ տրամագծով Եթե ձեր սպեցիֆիկացիաները հասանելի չեն մեր գույքագրման մեջ, մենք երկարաժամկետ հարաբերություններ ենք հաստատել բազմաթիվ մատակարարների հետ, ովքեր ի վիճակի են պատվերով պատրաստել վաֆլիներ՝ հարմարեցնելու ցանկացած եզակի առանձնահատկություն: Երկկողմանի փայլեցված վաֆլիները կարող են օգտագործվել սիլիցիումի, ապակու և այլ նյութերի համար, որոնք սովորաբար օգտագործվում են կիսահաղորդչային արդյունաբերության մեջ:


Ապրանքի մանրամասն

Ապրանքի պիտակներ

Վաֆլի տուփի ներկայացում

8 դյույմանոց սիլիկոնային վաֆլը սովորաբար օգտագործվող սիլիցիումային ենթաշերտի նյութ է և լայնորեն օգտագործվում է ինտեգրալային սխեմաների արտադրության գործընթացում: Նման սիլիկոնային վաֆլիները սովորաբար օգտագործվում են տարբեր տեսակի ինտեգրալ սխեմաների, ներառյալ միկրոպրոցեսորների, հիշողության չիպերի, սենսորների և այլ էլեկտրոնային սարքերի պատրաստման համար: 8 դյույմանոց սիլիկոնային վաֆլիները սովորաբար օգտագործվում են համեմատաբար մեծ չափսերի չիպեր պատրաստելու համար, որոնց առավելությունները ներառում են ավելի մեծ մակերես և մեկ սիլիկոնային վաֆլի վրա ավելի շատ չիպսեր պատրաստելու հնարավորություն, ինչը հանգեցնում է արտադրության արդյունավետության բարձրացման: 8 դյույմանոց սիլիկոնային վաֆլի ունի նաև լավ մեխանիկական և քիմիական հատկություններ, ինչը հարմար է լայնածավալ ինտեգրալ շղթայի արտադրության համար:

Ապրանքի առանձնահատկությունները

8" P/N տիպ, փայլեցված սիլիկոնային վաֆլի (25 հատ)

Կողմնորոշումը՝ 200

Դիմադրողականություն՝ 0,1 - 40 ohm•cm (Այն կարող է տարբեր լինել խմբաքանակից խմբաքանակ)

Հաստությունը՝ 725+/-20 մմ

Prime/Monitor/Test Grade

ՆՅՈՒԹԱԿԱՆ ՀԱՏԿՈՒԹՅՈՒՆՆԵՐ

Պարամետր Բնութագրական
Տեսակ/Դոպանտ P, բոր N, ֆոսֆոր N, անտիմոն N, մկնդեղ
Կողմնորոշումներ <100>, <111> կտրել կողմնորոշումները` ըստ հաճախորդի բնութագրերի
Թթվածնի պարունակությունը 1019ppmA Պատվերով հանդուրժողականություններ՝ ըստ հաճախորդի բնութագրերի
Ածխածնի պարունակությունը < 0,6 ppmA

ՄԵԽԱՆԻԿԱԿԱՆ ՀԱՏԿՈՒԹՅՈՒՆՆԵՐ

Պարամետր Պրայմ Մոնիտոր/Թեստ Ա Փորձարկում
Տրամագիծը 200±0,2 մմ 200 ± 0,2 մմ 200 ± 0,5 մմ
Հաստությունը 725±20 մկմ (ստանդարտ) 725±25 մկմ (ստանդարտ) 450±25 մկմ

625±25 մկմ

1000±25 մկմ

1300±25 մկմ

1500±25 մկմ

725±50 մկմ (ստանդարտ)
TTV < 5 մկմ < 10 մկմ < 15 մկմ
Խոնարհվել <30 մկմ <30 մկմ < 50 մկմ
Փաթաթել <30 մկմ <30 մկմ < 50 մկմ
Եզրերի կլորացում ԿԻՍԱՍՊՎ
Նշում Միայն հիմնական ԿԻՍԱԲնակարան, ԿԻՍԱՍՏՎ բնակարաններ Jeida Flat, Notch
Պարամետր Պրայմ Մոնիտոր/Թեստ Ա Փորձարկում
Առջևի կողմի չափանիշները
Մակերեսային վիճակ Քիմիական մեխանիկական փայլեցված Քիմիական մեխանիկական փայլեցված Քիմիական մեխանիկական փայլեցված
Մակերեւույթի կոպտություն < 2 A° < 2 A° < 2 A°
Աղտոտվածություն

Մասնիկներ@ >0,3 մկմ

= 20 = 20 = 30
Մշուշ, փոսեր

Նարնջի կեղև

Ոչ մեկը Ոչ մեկը Ոչ մեկը
Saw, Marks

Շերտավորումներ

Ոչ մեկը Ոչ մեկը Ոչ մեկը
Հետևի կողմի չափանիշները
Ճեղքեր, ագռավի ոտքեր, սղոցի հետքեր, բծեր Ոչ մեկը Ոչ մեկը Ոչ մեկը
Մակերեսային վիճակ Կաուստիկ փորագրված

Մանրամասն դիագրամ

IMG_1463 (1)
IMG_1463 (2)
IMG_1463 (3)

  • Նախորդը:
  • Հաջորդը:

  • Գրեք ձեր հաղորդագրությունը այստեղ և ուղարկեք այն մեզ