50,8 մմ 2 դյույմ GaN շափյուղա Epi-շերտ վաֆլի վրա
Գալիումի նիտրիդի GaN էպիտաքսիալ թերթիկի կիրառում
Գալիումի նիտրիդի կատարողականի հիման վրա գալիումի նիտրիդային էպիտաքսիալ չիպերը հիմնականում հարմար են բարձր հզորության, բարձր հաճախականության և ցածր լարման կիրառությունների համար:
Այն արտացոլվում է.
1) Բարձր տիրույթի բացվածքը.
2) Փոխակերպման բարձր արդյունավետություն. գալիումի նիտրիդային անջատիչ էլեկտրական սարքերի միացման դիմադրությունը 3 կարգով ցածր է սիլիցիումային սարքերից, ինչը կարող է էապես նվազեցնել միացման ժամանակ կորուստը.
3) Բարձր ջերմային հաղորդունակություն. գալլիումի նիտրիդի բարձր ջերմային հաղորդունակությունը այն դարձնում է ջերմության ցրման գերազանց կատարում, որը հարմար է բարձր հզորության, բարձր ջերմաստիճանի և այլ ոլորտների սարքերի արտադրության համար.
4) Էլեկտրական դաշտի ճեղքման ուժ. Չնայած գալիումի նիտրիդի ճեղքման էլեկտրական դաշտի ուժը մոտ է սիլիցիումի նիտրիդին, կիսահաղորդչային գործընթացի, նյութական ցանցերի անհամապատասխանության և այլ գործոնների պատճառով, գալիումի նիտրիդային սարքերի լարման հանդուրժողականությունը սովորաբար մոտ 1000 Վ է, և անվտանգ օգտագործման լարումը սովորաբար 650 Վ-ից ցածր է:
| Նյութ | GaN-TCU-C50 | GaN-TCN-C50 | GaN-TCP-C50 |
| Չափերը | e 50,8 մմ ± 0,1 մմ | ||
| Հաստություն | 4,5±0,5 մմ | 4.5±0.5մմ | |
| Կողմնորոշում | C-ինքնաթիռ (0001) ±0,5° | ||
| Անցկացման տեսակը | N- տիպ (Չմշակված) | N-տիպ (Si-doped) | P-տիպ (Mg-doped) |
| Դիմադրողականություն (3O0K) | < 0,5 Q・ սմ | < 0,05 Q・ սմ | ~ 10 Q・cm |
| Փոխադրողի համակենտրոնացում | < 5x1017սմ-3 | > 1x1018սմ-3 | > 6x1016 սմ-3 |
| Շարժունակություն | ~ 300 սմ2/Ընդդեմ | ~ 200 սմ2/Ընդդեմ | ~ 10 սմ2/Ընդդեմ |
| Դիսլոկացիայի խտություն | 5x10-ից պակաս8սմ-2(հաշվարկված է XRD-ի FWHM-ներով) | ||
| Ենթաշերտի կառուցվածքը | GaN Sapphire-ի վրա (Ստանդարտ՝ SSP Տարբերակ՝ DSP) | ||
| Օգտագործելի մակերես | > 90% | ||
| Փաթեթ | Փաթեթավորված է 100 դասի մաքուր սենյակում, 25 հատ ձայներիզներում կամ մեկ վաֆլի տարաներում, ազոտի մթնոլորտում: | ||
* Այլ հաստությունը կարող է հարմարեցվել
Մանրամասն դիագրամ
