100 մմ 4 դյույմ GaN շափյուղա էպիշերտ վաֆլի վրա Գալիումի նիտրիդ էպիտաքսիալ վաֆլի վրա
GaN կապույտ LED քվանտային հորերի կառուցվածքի աճի գործընթացը:Գործընթացի մանրամասն ընթացքը հետևյալն է
(1) Բարձր ջերմաստիճանի թխում, շափյուղայի ենթաշերտը նախ ջեռուցվում է մինչև 1050℃ ջրածնի մթնոլորտում, նպատակն է մաքրել ենթաշերտի մակերեսը.
(2) Երբ ենթաշերտի ջերմաստիճանը իջնում է մինչև 510℃, ցածր ջերմաստիճանի GaN/AlN բուֆերային շերտը 30 նմ հաստությամբ դրվում է շափյուղայի ենթաշերտի մակերեսին.
(3) Ջերմաստիճանի բարձրացումը մինչև 10 ℃, ռեակցիոն գազի ամոնիակը, տրիմեթիլգալիումը և սիլանը ներարկվում են, համապատասխանաբար վերահսկում են համապատասխան հոսքի արագությունը, և աճեցվում է 4um հաստությամբ N- տիպի սիլիցիումով դոպավորված GaN;
(4) Տրիմեթիլ ալյումինի և տրիմեթիլ գալիումի ռեակցիայի գազը օգտագործվել է 0,15 մմ հաստությամբ սիլիցիումով ներկված N տիպի A⒑ մայրցամաքներ պատրաստելու համար.
(5) 50 նմ Zn-doped InGaN-ը պատրաստվել է 8O0℃ ջերմաստիճանում տրիմեթիլգալիումի, տրիմեթիլինիդիումի, դիէթիլցինկի և ամոնիակի ներարկման միջոցով և համապատասխանաբար վերահսկելով տարբեր հոսքի արագություն;
(6) Ջերմաստիճանը բարձրացվել է մինչև 1020℃, տրիմեթիլալյումին, տրիմեթիլգալիում և բիս (ցիկլոպենտադիենիլ) մագնեզիում են ներարկվել՝ պատրաստելու 0,15 մգ դոփված P-տիպի AlGaN և 0,5 մգ դոփված P-տիպ G արյան գլյուկոզա;
(7) Բարձրորակ P- տիպի GaN Sibuyan թաղանթը ստացվել է ազոտի մթնոլորտում 700℃ ջերմաստիճանում եռացնելով;
(8) Փորագրում P- տիպի G լճացման մակերեսի վրա՝ N- տիպի G լճացման մակերեսը բացահայտելու համար.
(9) Ni/Au կոնտակտային թիթեղների գոլորշիացում p-GaNI մակերեսի վրա, △/Al կոնտակտային թիթեղների գոլորշիացում ll-GaN մակերեսի վրա՝ էլեկտրոդներ ձևավորելու համար:
Տեխնիկական պայմաններ
| Նյութ | GaN-TCU-C100 | GaN-TCN-C100 |
| Չափերը | e 100 մմ ± 0,1 մմ | |
| Հաստություն | 4.5±0.5 um Կարող է հարմարեցվել | |
| Կողմնորոշում | C-ինքնաթիռ (0001) ±0,5° | |
| Անցկացման տեսակը | N- տիպ (Չմշակված) | N-տիպ (Si-doped) |
| Դիմադրողականություն (300K) | < 0,5 Q・ սմ | < 0,05 Q・ սմ |
| Փոխադրողի համակենտրոնացում | < 5x1017սմ-3 | > 1x1018սմ-3 |
| Շարժունակություն | ~ 300 սմ2/Ընդդեմ | ~ 200 սմ2/Ընդդեմ |
| Դիսլոկացիայի խտություն | 5x10-ից պակաս8սմ-2(հաշվարկված է XRD-ի FWHM-ներով) | |
| Ենթաշերտի կառուցվածքը | GaN Sapphire-ի վրա (Ստանդարտ՝ SSP Տարբերակ՝ DSP) | |
| Օգտագործելի մակերես | > 90% | |
| Փաթեթ | Փաթեթավորված է 100 դասի մաքուր սենյակում, 25 հատ ձայներիզներում կամ մեկ վաֆլի տարաներում, ազոտի մթնոլորտում: | |
Մանրամասն դիագրամ
