Ծածկված սիլիկոնային ոսպնյակների միաբյուրեղ սիլիկոնային հատուկ պատված AR հակաարտացոլող թաղանթ

Ծածկված սիլիկոնային ոսպնյակի միաբյուրեղ սիլիկոնային հատուկ ծածկույթով AR հակաարտացոլող թաղանթ Առաջարկվող պատկեր

Կարճ նկարագրություն.

Ծածկված մոնոբյուրեղային սիլիցիումային ոսպնյակը ֆունկցիոնալ օպտիկական տարր է, որը հիմնված է բարձր մաքրության մոնոբյուրեղային սիլիցիումի (Si) վրա՝ ճշգրիտ օպտիկական մշակման և ծածկույթի տեխնոլոգիայի միջոցով: Մոնոբյուրեղային սիլիկոնն ունի գերազանց լույսի փոխանցում ինֆրակարմիր գոտում (1,2-7 մկմ) և զուգակցված ծածկույթների հետ, ինչպիսիք են հակաարտացոլող թաղանթը (AR), բարձր արտացոլման թաղանթը (HR) կամ ֆիլտրի թաղանթը, այն կարող է զգալիորեն բարելավել հատուկ գոտիների հաղորդունակությունը կամ արտացոլման կատարումը: Ապրանքները լայնորեն օգտագործվում են ինֆրակարմիր պատկերների, լազերային օպտիկայի և կիսահաղորդիչների հայտնաբերման մեջ:

Նամակ ուղարկեք մեզ

Ապրանքի մանրամասն

Ապրանքի պիտակներ

Ծածկված սիլիկոնային ոսպնյակի բնութագրերը.

1. Օպտիկական կատարում.
Հաղորդման միջակայք՝ 1,2-7 մկմ (մոտ ինֆրակարմիրից մինչև միջին ինֆրակարմիր), հաղորդունակություն >90% 3-5 մկմ մթնոլորտային պատուհանի գոտում (ծածկույթից հետո):
Բարձր բեկման ինդեքսի պատճառով (n≈ 3.4@4μm) պետք է պատել հակաարտացոլող թաղանթ (օրինակ՝ MgF2/Y2O3)՝ մակերեսի արտացոլման կորուստը նվազեցնելու համար:

2. Ջերմային կայունություն:
Ցածր ջերմային ընդլայնման գործակից (2.6×10-6/K), բարձր ջերմաստիճանի դիմադրություն (գործող ջերմաստիճանը մինչև 500℃), հարմար է բարձր հզորության լազերային կիրառությունների համար:

3. Մեխանիկական հատկություններ:
Mohs կարծրություն 7, քերծվածքների դիմադրություն, բայց բարձր փխրունություն, կարիք ունի եզրերի երեսպատման պաշտպանության:

4. Ծածկույթի բնութագրերը.
Customized anti-reflection film (AR@3-5μm), high reflection film (HR@10.6μm for CO₂ laser), bandpass filter film, etc.

Ծածկված սիլիկոնային ոսպնյակների կիրառումներ.

(1) Ինֆրակարմիր ջերմային պատկերման համակարգ
Որպես ինֆրակարմիր ոսպնյակների հիմնական բաղադրիչ (3-5 մկմ կամ 8-12 մկմ գոտի) անվտանգության մոնիտորինգի, արդյունաբերական զննման և ռազմական գիշերային տեսողության սարքավորումների համար:

(2) Լազերային օպտիկական համակարգ
CO₂ լազեր (10,6 մկմ)՝ բարձր արտացոլող ոսպնյակներ լազերային ռեզոնատորների կամ ճառագայթային ղեկի համար:

Օպտիկամանրաթելային լազեր (1,5-2 մկմ): Հակաարտացոլող թաղանթային ոսպնյակը բարելավում է միացման արդյունավետությունը:

(3) Կիսահաղորդիչների փորձարկման սարքավորումներ
Ինֆրակարմիր մանրադիտակային օբյեկտ վաֆլի թերությունների հայտնաբերման համար, դիմացկուն է պլազմայի կոռոզիայից (պահանջվում է ծածկույթի հատուկ պաշտպանություն):

(4) սպեկտրալ վերլուծության գործիքներ
Որպես Ֆուրիեի ինֆրակարմիր սպեկտրոմետրի (FTIR) սպեկտրալ բաղադրիչ, պահանջվում է բարձր հաղորդունակություն և ցածր ալիքի շեղում:

Տեխնիկական պարամետրեր.

Ծածկված մոնոբյուրեղային սիլիկոնային ոսպնյակը դարձել է անփոխարինելի հիմնական բաղադրիչ ինֆրակարմիր օպտիկական համակարգում՝ շնորհիվ իր գերազանց ինֆրակարմիր լույսի փոխանցման, բարձր ջերմային կայունության և կարգավորելի ծածկույթի բնութագրերի: Մեր մասնագիտացված մաքսային ծառայություններն ապահովում են ոսպնյակների լավագույն կատարումը լազերային, զննման և պատկերավորման ծրագրերում:

Ստանդարտ	Բարձր գին
Նյութ	Սիլիկոն
Չափը	5 մմ-300 մմ	5 մմ-300 մմ
Չափի հանդուրժողականություն	±0.1 մմ	±0,02 մմ
Մաքուր բացվածք	≥90%	95%
Մակերեւութային որակ	60/40	20/10
Կենտրոնացում	3'	1'
Կիզակետային երկարության հանդուրժողականություն	±2%	±0,5%
Ծածկույթ	Առանց ծածկույթի, AR, BBAR, Ռեֆլեկտիվ

XKH մաքսային ծառայություն

XKH-ն առաջարկում է պատված մոնոբյուրեղային սիլիցիումային ոսպնյակների ամբողջական գործընթացի անհատականացում՝ մոնոբյուրեղ սիլիցիումի ենթաշերտի ընտրությունից (դիմադրողականություն >1000Ω·սմ), ճշգրիտ օպտիկական մշակում (գնդաձև/ասֆերիկ, մակերևույթի ճշգրտություն λ/4@633նմ), հատուկ ծածկույթ (հակաարտացոլման/տրանսֆերտային թաղանթ, բարձր ռեֆլեկտիվություն), մինչև ռեֆլեկտորային թաղանթի բարձր արագություն։ լազերային վնասի շեմ, շրջակա միջավայրի հուսալիության փորձարկում), փոքր խմբաքանակի (10 հատ) աջակցություն լայնածավալ արտադրության համար: Այն նաև տրամադրում է տեխնիկական փաստաթղթեր (ծածկույթի կորեր, օպտիկական պարամետրեր) և վաճառքից հետո աջակցություն՝ ինֆրակարմիր օպտիկական համակարգերի պահանջկոտ պահանջները բավարարելու համար: