Պատված սիլիցիումային ոսպնյակով մոնոբյուրեղային սիլիցիումային հատուկ պատված AR հակաանդրադարձային թաղանթ

Պատված սիլիցիումային ոսպնյակով մոնոբյուրեղային սիլիցիումով, հատուկ պատված AR հակաանդրադարձային թաղանթով, գլխավոր նկարը

Կարճ նկարագրություն՝

Մոնոբյուրեղային պատված սիլիցիումային ոսպնյակը ֆունկցիոնալ օպտիկական տարր է, որը հիմնված է բարձր մաքրության մոնոբյուրեղային սիլիցիումի (Si) վրա՝ ճշգրիտ օպտիկական մշակման և պատման տեխնոլոգիայի միջոցով: Մոնոբյուրեղային սիլիցիումը ունի գերազանց լույսի թափանցելիություն ինֆրակարմիր տիրույթում (1.2-7 մկմ), և այնպիսի ծածկույթների հետ համատեղ, ինչպիսիք են հակաանդրադարձնող թաղանթը (AR), բարձր անդրադարձնող թաղանթը (HR) կամ ֆիլտրային թաղանթը, այն կարող է զգալիորեն բարելավել որոշակի տիրույթների թափանցելիության կամ անդրադարձման կատարողականը: Արտադրանքը լայնորեն կիրառվում է ինֆրակարմիր պատկերման, լազերային օպտիկայի և կիսահաղորդչային հայտնաբերման մեջ:

Ուղարկեք մեզ էլ. նամակ

Հատկանիշներ

Սիլիկոնային ծածկույթով ոսպնյակի բնութագրերը.

1. Օպտիկական կատարողականություն.
թափանցելիության միջակայք՝ 1.2-7 մկմ (մոտիկ ինֆրակարմիրից մինչև միջին ինֆրակարմիր), թափանցելիություն >90% 3-5 մկմ մթնոլորտային պատուհանի գոտում (ծածկույթից հետո):
Բարձր բեկման ցուցիչի (n≈ 3.4@4μm) պատճառով, մակերեսային անդրադարձման կորուստը նվազեցնելու համար պետք է պատել հակաանդրադարձնող թաղանթով (օրինակ՝ MgF₂/Y₂O₃):

2. Ջերմային կայունություն։
Ցածր ջերմային ընդարձակման գործակից (2.6×10⁻⁶/K), բարձր ջերմաստիճանային դիմադրություն (մինչև 500℃ աշխատանքային ջերմաստիճան), հարմար է բարձր հզորության լազերային կիրառությունների համար։

3. Մեխանիկական հատկություններ.
Մոհսի կարծրություն 7, քերծվածքակայունություն, բայց բարձր փխրունություն, անհրաժեշտ է պաշտպանություն եզրերի թեքությունից։

4. Ծածկույթի բնութագրերը.
Customized anti-reflection film (AR@3-5μm), high reflection film (HR@10.6μm for CO₂ laser), bandpass filter film, etc.

Սիլիկոնային ծածկույթով ոսպնյակների կիրառություններ.

(1) Ինֆրակարմիր ջերմային պատկերման համակարգ
Որպես ինֆրակարմիր ոսպնյակների (3-5 մկմ կամ 8-12 մկմ գոտի) հիմնական բաղադրիչ՝ անվտանգության մոնիթորինգի, արդյունաբերական ստուգման և ռազմական գիշերային տեսողության սարքավորումների համար։

(2) Լազերային օպտիկական համակարգ
CO₂ լազեր (10.6 մկմ): Բարձր անդրադարձնող ոսպնյակ լազերային ռեզոնատորների կամ ճառագայթային կառավարման համար։

Մանրաթելային լազեր (1.5-2μm): Հակաանդրադարձնող թաղանթային ոսպնյակը բարելավում է միացման արդյունավետությունը:

(3) Կիսահաղորդչային փորձարկման սարքավորումներ
Ինֆրակարմիր մանրադիտակային օբյեկտիվ՝ թիթեղների արատների հայտնաբերման համար, դիմացկուն է պլազմային կոռոզիային (պահանջվում է հատուկ ծածկույթային պաշտպանություն):

(4) սպեկտրալ վերլուծության գործիքներ
Որպես Ֆուրիեի ինֆրակարմիր սպեկտրոմետրի (FTIR) սպեկտրալ բաղադրիչ, պահանջվում է բարձր թափանցելիություն և ցածր ալիքային ճակատի աղավաղում։

Տեխնիկական պարամետրեր՝

Մոնոբյուրեղային պատված սիլիցիումային ոսպնյակը դարձել է ինֆրակարմիր օպտիկական համակարգի անփոխարինելի հիմնական բաղադրիչ՝ շնորհիվ իր գերազանց ինֆրակարմիր լույսի թափանցելիության, բարձր ջերմային կայունության և հարմարեցվող ծածկույթի բնութագրերի: Մեր մասնագիտացված ծառայությունները ապահովում են ոսպնյակների լավագույն աշխատանքը լազերային, ստուգման և պատկերագրման կիրառություններում:

Ստանդարտ	Բարձր գին
Նյութ	Սիլիկոն
Չափս	5մմ-300մմ	5մմ-300մմ
Չափի հանդուրժողականություն	±0.1 մմ	±0.02 մմ
Մաքուր ապերտուրա	≥90%	95%
Մակերեսի որակը	60/40	20/10
Կենտրոնացում	3'	1'
Ֆոկուսային հեռավորության հանդուրժողականություն	±2%	±0.5%
Ծածկույթ	Անծածկ, AR, BBAR, անդրադարձնող

XKH Անհատական սպասարկում

XKH-ն առաջարկում է պատված մոնոբյուրեղային սիլիցիումային ոսպնյակների լիարժեք գործընթացային հարմարեցում՝ սկսած մոնոբյուրեղային սիլիցիումային հիմքի ընտրությունից (դիմադրություն >1000Ω·սմ), ճշգրիտ օպտիկական մշակումից (գնդաձև/ասֆերային, մակերևույթի ճշգրտություն λ/4@633nm), անհատական ծածկույթից (հականդրադարձ/բարձր անդրադարձ/ֆիլտրային թաղանթ, բազմաշերտ նախագծման աջակցություն), մինչև խիստ փորձարկումներ (փոխանցման արագություն, լազերի վնասի շեմ, շրջակա միջավայրի հուսալիության փորձարկում), փոքր խմբաքանակից (10 հատ) մինչև մեծածավալ արտադրություն: Այն նաև տրամադրում է տեխնիկական փաստաթղթեր (ծածկույթի կորեր, օպտիկական պարամետրեր) և վաճառքից հետո աջակցություն՝ ինֆրակարմիր օպտիկական համակարգերի պահանջկոտ պահանջները բավարարելու համար: