6 դյույմ GaN-On-Sapphire

6 դյույմանոց GaN-On-Sapphire Ընտրված պատկեր

Կարճ նկարագրություն:

150 մմ 6 դյույմ GaN սիլիկոնային/շափյուղա/SiC էպիշերտ վաֆլի վրա Գալիումի նիտրիդային էպիտաքսիալ վաֆլի

6 դյույմ շափյուղայի ենթաշերտի վաֆլան բարձրորակ կիսահաղորդչային նյութ է, որը բաղկացած է գալիումի նիտրիդի (GaN) շերտերից՝ աճեցված շափյուղայի հիմքի վրա:Նյութն ունի գերազանց էլեկտրոնային տրանսպորտային հատկություններ և իդեալական է բարձր հզորության և բարձր հաճախականության կիսահաղորդչային սարքերի արտադրության համար:

Նամակ ուղարկեք մեզ

Ապրանքի մանրամասն

Ապրանքի պիտակներ

150 մմ 6 դյույմ GaN սիլիկոնային/շափյուղա/SiC էպիշերտ վաֆլի վրա Գալիումի նիտրիդային էպիտաքսիալ վաֆլի

Արտադրության մեթոդ. Արտադրության գործընթացը ներառում է GaN շերտերի աճեցում շափյուղայի հիմքի վրա՝ օգտագործելով առաջադեմ մեթոդներ, ինչպիսիք են մետաղական օրգանական քիմիական գոլորշիների նստեցումը (MOCVD) կամ մոլեկուլային ճառագայթային էպիտաքսիան (MBE):Տեղադրման գործընթացն իրականացվում է վերահսկվող պայմաններում՝ ապահովելու բարձր բյուրեղային որակ և միասնական թաղանթ:

6 դյույմանոց GaN-On-Sapphire հավելվածներ. 6 դյույմանոց շափյուղայի ենթաշերտի չիպերը լայնորեն օգտագործվում են միկրոալիքային կապի, ռադարային համակարգերի, անլար տեխնոլոգիաների և օպտոէլեկտրոնիկայի մեջ:

Որոշ ընդհանուր հավելվածներ ներառում են

1. Rf հզորության ուժեղացուցիչ

2. LED լուսավորման արդյունաբերություն

3. Անլար ցանցային կապի սարքավորումներ

4. Էլեկտրոնային սարքեր բարձր ջերմաստիճանի միջավայրում

5. Օպտոէլեկտրոնային սարքեր

Ապրանքի բնութագրերը

- Չափս. Ենթաշերտի տրամագիծը 6 դյույմ է (մոտ 150 մմ):

- Մակերեւույթի որակ. Մակերեսը մանրակրկիտ փայլեցվել է հայելու գերազանց որակ ապահովելու համար:

- Հաստություն. GaN շերտի հաստությունը կարող է հարմարեցվել ըստ հատուկ պահանջների:

- Փաթեթավորում. ենթաշերտը խնամքով լցված է հակաստատիկ նյութերով՝ տեղափոխման ժամանակ վնասը կանխելու համար:

- Դիրքավորող եզրեր. Ենթաշերտը ունի հատուկ դիրքավորող եզրեր, որոնք հեշտացնում են հավասարեցումը և շահագործումը սարքի պատրաստման ընթացքում:

- Այլ պարամետրեր. Հատուկ պարամետրեր, ինչպիսիք են նիհարությունը, դիմադրողականությունը և դոպինգի կոնցենտրացիան, կարող են ճշգրտվել հաճախորդի պահանջներին համապատասխան:

Իրենց գերազանց նյութական հատկություններով և տարբեր կիրառություններով՝ 6 դյույմանոց շափյուղայի ենթաշերտի վաֆլիները հուսալի ընտրություն են տարբեր ոլորտներում բարձր արդյունավետությամբ կիսահաղորդչային սարքերի մշակման համար:

Ենթաշերտ	6” 1 մմ <111> p-տիպ Si	6” 1 մմ <111> p-տիպ Si
Epi ThickAvg	~ 5 մ	~ 7 մ
Epi ThickUnif	<2%	<2%
Խոնարհվել	+/-45 մմ	+/-45 մմ
Cracking	<5 մմ	<5 մմ
Ուղղահայաց BV	> 1000 Վ	> 1400 Վ
HEMT Al%	25-35%	25-35%
HEMT Հաստ միջին	20-30 նմ	20-30 նմ
Insitu SiN գլխարկ	5-60 նմ	5-60 նմ
2DEG խտ.	~ 10¹³cm^-2	~ 10¹³cm^-2
Շարժունակություն	~ 2000 սմ²/Vs (<2%)	~ 2000 սմ²/Vs (<2%)
Ռշ	<330 Օմ/քառ (<2%)	<330 Օմ/քառ (<2%)