English

4H-N 8 դյույմ SiC ենթաշերտ վաֆլի Silicon Carbide Dummy Research դասարանի 500 մմ հաստությամբ

4H-N 8 դյույմ SiC ենթաշերտ վաֆլի Սիլիկոնային կարբիդ Dummy գիտահետազոտական ​​աստիճանի 500 մմ հաստություն Առաջարկվող պատկեր
  • 4H-N 8 դյույմ SiC ենթաշերտ վաֆլի Silicon Carbide Dummy Research դասարանի 500 մմ հաստությամբ
  • 4H-N 8 դյույմ SiC ենթաշերտ վաֆլի Silicon Carbide Dummy Research դասարանի 500 մմ հաստությամբ

Կարճ նկարագրություն:

Սիլիցիումի կարբիդային վաֆլիներն օգտագործվում են էլեկտրոնային սարքերում, ինչպիսիք են ուժային դիոդները, MOSFET-ները, բարձր հզորության միկրոալիքային սարքերը և ՌԴ տրանզիստորները, ինչը հնարավորություն է տալիս էներգիայի արդյունավետ փոխակերպում և էներգիայի կառավարում:SiC վաֆլիները և ենթաշերտերը նաև օգտագործվում են ավտոմոբիլային էլեկտրոնիկայի, օդատիեզերական համակարգերի և վերականգնվող էներգիայի տեխնոլոգիաներում:


Ապրանքի մանրամասն

Ապրանքի պիտակներ

Ինչպե՞ս եք ընտրում սիլիկոնային կարբիդային վաֆլիներ և SiC ենթաշերտեր:

Սիլիցիումի կարբիդի (SiC) վաֆլիներ և ենթաշերտեր ընտրելիս պետք է հաշվի առնել մի քանի գործոն:Ահա մի քանի կարևոր չափանիշներ.

Նյութի տեսակ. Որոշեք SiC նյութի տեսակը, որը համապատասխանում է ձեր կիրառմանը, օրինակ՝ 4H-SiC կամ 6H-SiC:Առավել հաճախ օգտագործվող բյուրեղային կառուցվածքը 4H-SiC է:

Դոպինգի տեսակը. Որոշեք, արդյոք Ձեզ անհրաժեշտ է դոպինգով կամ չմշակված SiC սուբստրատ:Դոպինգի տարածված տեսակներն են N-տիպը (n-doped) կամ P-type (p-doped)՝ կախված ձեր կոնկրետ պահանջներից:

Բյուրեղների որակ. Գնահատեք SiC վաֆլիների կամ ենթաշերտերի բյուրեղների որակը:Ցանկալի որակը որոշվում է այնպիսի պարամետրերով, ինչպիսիք են թերությունների քանակը, բյուրեղագրական կողմնորոշումը և մակերեսի կոշտությունը:

Վաֆլի տրամագիծը. Ընտրեք վաֆլի համապատասխան չափը՝ ձեր դիմումի հիման վրա:Ընդհանուր չափերը ներառում են 2 դյույմ, 3 դյույմ, 4 դյույմ և 6 դյույմ:Որքան մեծ է տրամագիծը, այնքան ավելի շատ բերք կարող եք ստանալ մեկ վաֆլի համար:

Հաստություն. Հաշվի առեք SiC վաֆլիների կամ ենթաշերտերի ցանկալի հաստությունը:Հաստության բնորոշ տարբերակները տատանվում են մի քանի միկրոմետրից մինչև մի քանի հարյուր միկրոմետր:

Կողմնորոշում. Որոշեք բյուրեղագրական կողմնորոշումը, որը համապատասխանում է ձեր հավելվածի պահանջներին:Ընդհանուր կողմնորոշումները ներառում են (0001) 4H-SiC-ի համար և (0001) կամ (0001̅) 6H-SiC-ի համար:

Մակերեւույթի հարդարում. Գնահատեք SiC վաֆլիների կամ ենթաշերտերի մակերեսային հարդարումը:Մակերեսը պետք է լինի հարթ, փայլեցված և զերծ քերծվածքներից կամ աղտոտիչներից:

Մատակարարի համբավ. Ընտրեք հեղինակավոր մատակարար, որը մեծ փորձ ունի բարձրորակ SiC վաֆլիների և ենթաշերտերի արտադրության մեջ:Հաշվի առեք այնպիսի գործոններ, ինչպիսիք են արտադրական կարողությունները, որակի վերահսկումը և հաճախորդների ակնարկները:

Արժեքը. Հաշվի առեք ծախսերի հետևանքները, ներառյալ մեկ վաֆլի կամ հիմքի գինը և հարմարեցման լրացուցիչ ծախսերը:

Կարևոր է ուշադիր գնահատել այս գործոնները և խորհրդակցել ոլորտի փորձագետների կամ մատակարարների հետ՝ համոզվելու համար, որ ընտրված SiC վաֆլիները և ենթաշերտերը համապատասխանում են ձեր հատուկ կիրառման պահանջներին:

Մանրամասն դիագրամ

4H-N 8 դյույմ SiC սուբստրատի վաֆլի Silicon Carbide Dummy Research դասարանի 500 մմ հաստություն (1)
4H-N 8 դյույմ SiC սուբստրատի վաֆլի Silicon Carbide Dummy Research դասարանի 500um հաստություն (2)
4H-N 8 դյույմ SiC ենթաշերտ վաֆլի Silicon Carbide Dummy Research դասարանի 500um հաստություն (3)
4H-N 8 դյույմ SiC սուբստրատի վաֆլի Silicon Carbide Dummy Research դասարանի 500um հաստություն (4)
  • Նախորդը:
  • Հաջորդը:
    • Գրեք ձեր հաղորդագրությունը այստեղ և ուղարկեք այն մեզ

    Ապրանքների կատեգորիաներ

    Սեղմեք Enter՝ որոնման համար կամ ESC՝ փակելու համար