շափյուղա մատանի ամբողջությամբ շափյուղա մատանի ամբողջությամբ պատրաստված շափյուղայից Թափանցիկ լաբորատոր պատրաստված շափյուղա նյութից
Դիմումներ
Ամբողջական շափյուղա մատանին ունի գործնական և էսթետիկ կիրառություն տարբեր ոլորտներում.
Ոսկերչական իրեր:
Որպես զարդ՝ ամբողջովին շափյուղայից պատրաստված մատանին առաջարկում է մինիմալիստական դիզայն՝ բարձր քերծվածքներից դիմադրությամբ: Նրա թափանցիկությունը և հարմարեցված գունային տարբերակները համապատասխանում են ինչպես անձնական, այնպես էլ պաշտոնական առիթներին:
Օպտիկական բաղադրիչներ.
Շափյուղայի օպտիկական հստակությունը այն հարմար է դարձնում ճշգրիտ գործիքների համար, հատկապես, որտեղ թափանցիկությունն ու ամրությունը կարևոր են:
Հետազոտություն և փորձարկում.
Դրա ջերմային և քիմիական կայունությունը այն դարձնում է համապատասխան նյութ գիտական կամ արդյունաբերական կիրառությունների համար, որտեղ ստանդարտ նյութերը կարող են ձախողվել:
Ցուցադրման կտորներ.
Իր մաքուր և փայլեցված մակերեսով մատանին կարող է նաև ծառայել որպես շափյուղայի նյութական հատկությունների ցուցադրություն կրթական կամ արդյունաբերական համատեքստերում:
Հատկություններ
Շափյուղայի հատկությունները կարևոր են տարբեր կիրառությունների համար դրա համապատասխանության համար.
| Սեփականություն | Արժեք | Նկարագրություն |
| Նյութ | Լաբորատորիայում աճեցված շափյուղա | Նախագծված է կայուն որակի և մաքրության համար: |
| Կարծրություն (Mohs սանդղակ) | 9 | Բարձր դիմացկուն է քերծվածքների և քերծվածքների նկատմամբ: |
| Թափանցիկություն | Բարձր հստակություն տեսանելի և մոտ IR սպեկտրում | Ապահովում է հստակ տեսանելիություն և գեղագիտական գրավչություն: |
| Խտություն | ~3,98 գ/սմ³ | Ուժեղ և թեթև իր նյութական դասի համար: |
| Ջերմային հաղորդունակություն | ~35 W/(m·K) | Հեշտացնում է ջերմության արտանետումը բարձր ջերմաստիճանի միջավայրում: |
| Refractive Index | 1,76–1,77 | Ստեղծում է լույսի արտացոլում և փայլ: |
| Քիմիական դիմադրություն | Դիմացկուն է թթուների, հիմքերի և լուծիչների նկատմամբ | Լավ է գործում քիմիապես ծանր պայմաններում: |
| Հալման կետ | ~2040°C | Դիմանում է բարձր ջերմաստիճաններին՝ առանց կառուցվածքային դեֆորմացիայի: |
| Գույն | Թափանցիկ (առկա են հատուկ երանգներ) | Հարմար է դիզայնի տարբեր պահանջների համար: |
Ինչու՞ Lab-Grown Sapphire:
Նյութի հետևողականություն:
Լաբորատորիայում աճեցված շափյուղան արտադրվում է վերահսկվող պայմաններում, ինչը հանգեցնում է միատեսակության և կանխատեսելի հատկությունների:
Կայունություն:
Արտադրության գործընթացը նվազագույնի է հասցնում շրջակա միջավայրի վրա ազդեցությունը բնական շափյուղայի արդյունահանման համեմատ:
Երկարակեցություն:
Sapphire-ի բարձր կարծրությունը և դիմադրությունը քիմիական և ջերմային սթրեսներին դարձնում են այն երկարակյաց:
Ծախսերի արդյունավետություն:
Բնական շափյուղայի համեմատ՝ լաբորատորիայում աճեցված այլընտրանքներն առաջարկում են նմանատիպ կատարողականություն և էսթետիկ գրավչություն ավելի ցածր գնով:
Անհատականացում:
Չափերը, ձևերը և նույնիսկ գույները կարող են հարմարեցվել հատուկ կարիքներին բավարարելու համար՝ լինի դա անձնական, արդյունաբերական կամ հետազոտական նպատակներով:
Արտադրական գործընթաց
Լաբորատորիայում աճեցված շափյուղան արտադրվում է առաջադեմ մեթոդներով, ինչպիսիք են Կիրոպուլոսի կամ Վերնոյի գործընթացները, որոնք կրկնում են շափյուղայի բյուրեղների բնական աճը: Սինթեզից հետո նյութը խնամքով ձևավորվում և փայլեցվում է ցանկալի դիզայնի և հստակության հասնելու համար: Այս գործընթացը ապահովում է անթերի, ֆունկցիոնալ և էսթետիկորեն հաճելի արտադրանք:
Եզրակացություն
Ամբողջովին շափյուղա մատանին գործնական և տեսողականորեն նուրբ արտադրանք է, որը պատրաստված է լաբորատոր պայմաններում աճեցված շափյուղայից: Դրա ֆիզիկական հատկությունները հարմար են դարձնում տարբեր կիրառությունների համար՝ ոսկերչական իրերից մինչև տեխնիկական կիրառություններ: Այս արտադրանքը հավասարակշռում է կատարողականությունը, որակը և կայունությունը՝ առաջարկելով հիանալի լուծում նրանց համար, ովքեր փնտրում են նյութ, որը և՛ ֆունկցիոնալ, և՛ գրավիչ է:
Եթե անհատականացման կամ տեխնիկական բնութագրերի վերաբերյալ լրացուցիչ մանրամասներ են անհրաժեշտ, ազատ զգալ հարցրեք:
Ապրանքների կատեգորիաներ
-
Թափանցիկ պատվերով շափյուղա ժամացույց. Նորաձև...
-
Նիկելային վաֆլի Ni Substrate 5x5x0.5/1mm 10x10x0.5...
-
Բարձր ջերմաստիճանի դիմացկուն շափյուղա/քվարց/BF3...
-
Շափյուղա ձուլակտոր 4 դյույմ × 80 մմ միաբյուրեղային ...
-
Dia150mm 4H-N 6inch SiC substrate Արտադրություն և...
-
8 դյույմ 200 մմ 4H-N SiC վաֆլի հաղորդիչ կեղծ ռեսուրս...