Ապրանքներ
-
p-type 4H/6H-P 3C-N TYPE SIC substrate 4inch 〈111〉± 0.5°Zero MPD
-
SiC ենթաշերտ P-տիպ 4H/6H-P 3C-N 4դյույմ հաստությամբ 350 մմ Արտադրական դասի Կեղծ դասարան
-
4H/6H-P 6 դյույմանոց SiC վաֆլի Զրոյական MPD դասի Արտադրության աստիճանի կեղծ աստիճան
-
P-տիպի SiC վաֆլի 4H/6H-P 3C-N 6դյույմ հաստությամբ 350 մկմ առաջնային հարթ կողմնորոշմամբ
-
Ալյումինե կերամիկական թեւ մաքսային Կերամիկական ռոբոտային թեւ
-
Sapphire խողովակ KY մեթոդ բոլոր թափանցիկ հարմարեցված
-
Al2O3 99,999% շափյուղա պատվերով թափանցիկ մաշվածության դիմացկուն 38×4,5×0,3 մմտ
-
Շափյուղայի շեղբերով մազերի փոխպատվաստումը կարող է հարմարեցվել բժշկական նպատակների համար
-
Lilac YAG հումքի փոշի մանուշակագույն պահեստում
-
TVG գործընթացը քվարց շափյուղա BF33 վաֆլի վրա Ապակի վաֆլի դակիչ
-
Մեկ բյուրեղյա սիլիկոնային վաֆլի Si substrate տեսակը N/P Լրացուցիչ սիլիկոնային կարբիդ վաֆլի
-
N-Type SiC կոմպոզիտային ենթաշերտեր Dia6inch Բարձր որակի միաբյուրեղային և ցածրորակ ենթաշերտ