Ապրանքներ
-
2 դյույմ 50,8 մմ Հաստություն 0,1 մմ 0,2 մմ 0,43 մմ շափյուղա վաֆլի C-Plane M-plane R-plane A-plane
-
150 մմ 200 մմ 6 դյույմ 8 դյույմ GaN սիլիկոնային էպիշերտ վաֆլի Գալիումի նիտրիդային էպիտաքսիալ վաֆլի վրա
-
8 դյույմ 200 մմ Sapphire Wafer Carrier Subsrate SSP DSP Հաստություն 0,5 մմ 0,75 մմ
-
200 մմ 8 դյույմ GaN շափյուղա Epi-շերտ վաֆլի ենթաշերտի վրա
-
Sapphire պատուհան Շափյուղա ապակե ոսպնյակներ Մեկ բյուրեղյա Al2O3 նյութ
-
4 դյույմ Sapphire Wafer C-Plane SSP/DSP 0,43 մմ 0,65 մմ
-
150mm 6 inch 0.7mm 0.5mm Sapphire Wafer Substrate Carrier C-Plane SSP/DSP
-
8 դյույմ 200 մմ 4H-N SiC վաֆլի հաղորդիչ կեղծ հետազոտական աստիճան
-
12 դյույմ Dia300x1.0mmt Sapphire Wafer Substrate C-Plane SSP/DSP
-
2 դյույմ սիլիկոնային կարբիդային վաֆլիներ 6H կամ 4H N տիպի կամ կիսամեկուսացնող SiC ենթաշերտեր
-
KY և EFG Sapphire Method Tube շափյուղա ձողեր խողովակ բարձր ճնշման
-
50,8 մմ/100 մմ AlN ձևանմուշ NPSS/FSS AlN ձևանմուշ շափյուղայի վրա