Սիլիցիումի կարբիդի ներածություն
Սիլիցիումի կարբիդը (SiC) ածխածնի և սիլիցիումի բաղադրյալ կիսահաղորդչային նյութ է, որը իդեալական նյութերից է բարձր ջերմաստիճանի, բարձր հաճախականության, բարձր հզորության և բարձր լարման սարքեր պատրաստելու համար։Համեմատած ավանդական սիլիցիումային նյութի (Si) հետ, սիլիցիումի կարբիդի ժապավենի բացը 3 անգամ գերազանցում է սիլիցիումին:Ջերմային հաղորդունակությունը 4-5 անգամ գերազանցում է սիլիցիումին;Ճեղքման լարումը 8-10 անգամ գերազանցում է սիլիցիումին;Էլեկտրոնային հագեցվածության դրեյֆի արագությունը 2-3 անգամ գերազանցում է սիլիցիումին, որը բավարարում է ժամանակակից արդյունաբերության կարիքները բարձր հզորության, բարձր լարման և բարձր հաճախականության համար:Այն հիմնականում օգտագործվում է բարձր արագությամբ, բարձր հաճախականության, բարձր հզորության և լուսարձակող էլեկտրոնային բաղադրիչների արտադրության համար։Ներքևի կիրառման ոլորտները ներառում են խելացի ցանցեր, նոր էներգիայի տրանսպորտային միջոցներ, ֆոտոգալվանային քամու էներգիա, 5G կապ և այլն: Սիլիկոնային կարբիդային դիոդները և MOSFET-ները կոմերցիոնորեն կիրառվել են:
Բարձր ջերմաստիճանի դիմադրություն:Սիլիցիումի կարբիդի շերտի լայնությունը 2-3 անգամ գերազանցում է սիլիցիումին, էլեկտրոնները հեշտ չեն անցնում բարձր ջերմաստիճաններում և կարող են դիմակայել ավելի բարձր աշխատանքային ջերմաստիճաններին, իսկ սիլիցիումի կարբիդի ջերմային հաղորդունակությունը 4-5 անգամ գերազանցում է սիլիցիումին, հեշտացնելով սարքի ջերմության ցրումը և ավելի բարձր աշխատանքային սահմանային ջերմաստիճանը:Բարձր ջերմաստիճանի դիմադրությունը կարող է զգալիորեն մեծացնել հոսանքի խտությունը՝ միաժամանակ նվազեցնելով հովացման համակարգի պահանջները՝ դարձնելով տերմինալը ավելի թեթև և փոքր:
Դիմանալ բարձր ճնշմանը:Սիլիցիումի կարբիդի քայքայման էլեկտրական դաշտի ուժը 10 անգամ գերազանցում է սիլիցիումին, որը կարող է դիմակայել ավելի բարձր լարման և ավելի հարմար է բարձր լարման սարքերի համար:
Բարձր հաճախականության դիմադրություն:Սիլիցիումի կարբիդն ունի հագեցած էլեկտրոնների շեղման արագություն, որը կրկնակի գերազանցում է սիլիցիումը, ինչի հետևանքով անջատման գործընթացում առկա է հոսանքի պոչամբարի բացակայություն, ինչը կարող է արդյունավետորեն բարելավել սարքի միացման հաճախականությունը և իրականացնել սարքի մանրացում:
Ցածր էներգիայի կորուստ.Սիլիցիումի նյութի համեմատ՝ սիլիցիումի կարբիդն ունի շատ ցածր դիմադրություն և ցածր կորուստ:Միևնույն ժամանակ, սիլիցիումի կարբիդի լայնակի լայնությունը զգալիորեն նվազեցնում է արտահոսքի հոսանքը և էներգիայի կորուստը:Բացի այդ, սիլիցիումի կարբիդի սարքը անջատման գործընթացում չունի ընթացիկ հետքի երևույթ, և անջատման կորուստը ցածր է:
Սիլիցիումի կարբիդի արդյունաբերության շղթա
Այն հիմնականում ներառում է ենթաշերտը, էպիտաքսիան, սարքի ձևավորումը, արտադրությունը, կնքումը և այլն:Սիլիցիումի կարբիդը նյութից մինչև կիսահաղորդչային էներգիայի սարքը կունենա մեկ բյուրեղի աճ, ձուլակտորների կտրում, էպիտաքսիալ աճ, վաֆլի ձևավորում, արտադրություն, փաթեթավորում և այլ գործընթացներ:Սիլիցիումի կարբիդի փոշու սինթեզից հետո սկզբում պատրաստվում է սիլիցիումի կարբիդի ձուլակտորը, այնուհետև կտրատելով, մանրացնելով և փայլեցնելով` ստացվում է սիլիցիումի կարբիդային սուբստրատ, իսկ էպիտաքսիալ թերթիկը ստացվում է էպիտաքսիալ աճով։Էպիտաքսիալ վաֆերը պատրաստվում է սիլիցիումի կարբիդից՝ լիտոգրաֆիայի, փորագրման, իոնային իմպլանտացիայի, մետաղի պասիվացման և այլ գործընթացների միջոցով, վաֆերը կտրատվում է ձուլվածքի, սարքը փաթեթավորվում է, իսկ սարքը միացվում է հատուկ պատյանի մեջ և հավաքվում մոդուլի մեջ։
Արդյունաբերության շղթայի 1-ին հոսանքին հակառակ. սուբստրատ - բյուրեղային աճը գործընթացի հիմնական օղակն է
Սիլիցիումի կարբիդի ենթաշերտը կազմում է սիլիցիումի կարբիդային սարքերի արժեքի մոտ 47%-ը, արտադրության ամենաբարձր տեխնիկական խոչընդոտները, ամենամեծ արժեքը, հանդիսանում է SiC-ի ապագա լայնածավալ արդյունաբերականացման առանցքը:
Էլեկտրաքիմիական հատկությունների տարբերությունների տեսանկյունից սիլիցիումի կարբիդի ենթաշերտի նյութերը կարելի է բաժանել հաղորդիչ ենթաշերտերի (դիմադրողականության շրջան 15~30mΩ·cm) և կիսամեկուսացված ենթաշերտերի (105Ω·սմ-ից բարձր դիմադրողականություն):Այս երկու տեսակի ենթաշերտերն օգտագործվում են դիսկրետ սարքերի արտադրության համար, ինչպիսիք են ուժային սարքերը և ռադիոհաճախականության սարքերը, համապատասխանաբար, էպիտաքսիալ աճից հետո:Դրանցից կիսամեկուսացված սիլիցիումի կարբիդային ենթաշերտը հիմնականում օգտագործվում է գալիումի նիտրիդային ՌԴ սարքերի, ֆոտոէլեկտրական սարքերի և այլնի արտադրության մեջ։Գան էպիտաքսիալ շերտը կիսամեկուսացված SIC սուբստրատի վրա աճեցնելով, պատրաստվում է sic էպիտաքսիալ թիթեղը, որը կարող է հետագայում պատրաստվել HEMT gan iso-nitride RF սարքերում:Հաղորդող սիլիցիումի կարբիդի ենթաշերտը հիմնականում օգտագործվում է ուժային սարքերի արտադրության մեջ:Ի տարբերություն ավանդական սիլիցիումային էներգիայի սարքերի արտադրության գործընթացից, սիլիցիումի կարբիդային էներգիայի սարքը չի կարող ուղղակիորեն պատրաստվել սիլիցիումի կարբիդի ենթաշերտի վրա, սիլիցիումի կարբիդի էպիտաքսիալ շերտը պետք է աճեցվի հաղորդիչ հիմքի վրա՝ սիլիցիումի կարբիդի էպիտաքսիալ թերթիկը ստանալու համար, իսկ էպիտաքսիալը: շերտը արտադրվում է Schottky diode, MOSFET, IGBT և այլ ուժային սարքերի վրա:
Սիլիցիումի կարբիդի փոշին սինթեզվել է բարձր մաքրության ածխածնի փոշուց և բարձր մաքրության սիլիցիումի փոշուց, և տարբեր չափերի սիլիցիումի կարբիդի ձուլակտորն աճեցվել է հատուկ ջերմաստիճանի դաշտում, այնուհետև արտադրվել է սիլիցիումի կարբիդի ենթաշերտը բազմակի մշակման գործընթացների միջոցով:Հիմնական գործընթացը ներառում է.
Հումքի սինթեզ. Բարձր մաքրության սիլիցիումի փոշի + տոները խառնվում է ըստ բանաձևի, և ռեակցիան իրականացվում է ռեակցիայի խցիկում 2000°C-ից բարձր բարձր ջերմաստիճանի պայմաններում՝ սիլիցիումի կարբիդի մասնիկները հատուկ բյուրեղային տեսակի և մասնիկի հետ սինթեզելու համար։ չափը։Այնուհետև մանրացման, զննման, մաքրման և այլ գործընթացների միջոցով բավարարելու բարձր մաքրության սիլիցիումի կարբիդի փոշի հումքի պահանջները:
Բյուրեղների աճը սիլիցիումի կարբիդի ենթաշերտի արտադրության հիմնական գործընթացն է, որը որոշում է սիլիցիումի կարբիդի սուբստրատի էլեկտրական հատկությունները:Ներկայումս բյուրեղների աճի հիմնական մեթոդներն են ֆիզիկական գոլորշի փոխանցումը (PVT), բարձր ջերմաստիճանի քիմիական գոլորշիների նստեցումը (HT-CVD) և հեղուկ փուլային էպիտաքսիան (LPE):Դրանց թվում PVT մեթոդը ներկայումս SiC ենթաշերտի առևտրային աճի հիմնական մեթոդն է՝ ամենաբարձր տեխնիկական հասունությամբ և ճարտարագիտության մեջ առավել լայնորեն կիրառվող:
SiC սուբստրատի պատրաստումը դժվար է, ինչը հանգեցնում է դրա բարձր գնի
Ջերմաստիճանի դաշտի վերահսկումը դժվար է. Si բյուրեղյա ձողերի աճին անհրաժեշտ է ընդամենը 1500℃, մինչդեռ SiC բյուրեղաձողին պետք է աճեցնել 2000℃-ից բարձր ջերմաստիճանում, և կան ավելի քան 250 SiC իզոմերներ, սակայն հիմնական 4H-SiC միաբյուրեղային կառուցվածքը ուժային սարքերի արտադրությունը, եթե ոչ ճշգրիտ հսկողություն, կստանա բյուրեղային այլ կառուցվածքներ։Բացի այդ, խառնարանում ջերմաստիճանի գրադիենտը որոշում է SiC սուբլիմացիայի փոխանցման արագությունը և բյուրեղային միջերեսի վրա գազային ատոմների դասավորությունն ու աճի ռեժիմը, ինչը ազդում է բյուրեղների աճի արագության և բյուրեղների որակի վրա, ուստի անհրաժեշտ է համակարգված ջերմաստիճանի դաշտ ձևավորել: հսկողության տեխնոլոգիա:Համեմատելով Si նյութերի հետ, SiC-ի արտադրության տարբերությունը նաև բարձր ջերմաստիճանի գործընթացներում է, ինչպիսիք են բարձր ջերմաստիճանի իոնների իմպլանտացիան, բարձր ջերմաստիճանի օքսիդացումը, բարձր ջերմաստիճանի ակտիվացումը և այս բարձր ջերմաստիճանի գործընթացների համար պահանջվող կոշտ դիմակի գործընթացը:
Բյուրեղների դանդաղ աճ. Si բյուրեղաձողի աճի տեմպը կարող է հասնել 30 ~ 150 մմ/ժ, իսկ 1-3 մ սիլիցիումի բյուրեղաձողի արտադրությունը տևում է ընդամենը 1 օր;SiC բյուրեղյա ձող PVT մեթոդով, որպես օրինակ, աճի տեմպը մոտ 0.2-0.4 մմ / ժամ է, 7 օր 3-6 սմ-ից պակաս աճելու համար, աճի տեմպը սիլիցիումի նյութի 1% -ից պակաս է, արտադրական հզորությունը ծայրահեղ է: սահմանափակված.
Արտադրանքի բարձր պարամետրեր և ցածր եկամտաբերություն. SiC ենթաշերտի հիմնական պարամետրերը ներառում են միկրոխողովակների խտությունը, տեղահանման խտությունը, դիմադրողականությունը, աղավաղումը, մակերեսի կոշտությունը և այլն: Պարամետրերի ինդեքսները վերահսկելիս:
Նյութն ունի բարձր կարծրություն, բարձր փխրունություն, երկար կտրման ժամանակ և բարձր մաշվածություն: SiC Mohs-ի 9.25 կարծրությունը զիջում է միայն ադամանդին, ինչը հանգեցնում է կտրման, հղկման և փայլեցման դժվարության զգալի աճի, և դրա համար պահանջվում է մոտավորապես 120 ժամ: կտրատել 35-40 հատ 3 սմ հաստությամբ ձուլակտոր։Բացի այդ, SiC-ի բարձր փխրունության պատճառով վաֆլի մշակման մաշվածությունը ավելի շատ կլինի, իսկ ելքային հարաբերակցությունը կազմում է ընդամենը մոտ 60%:
Զարգացման միտում՝ չափի ավելացում + գնի նվազում
Համաշխարհային SiC շուկայի 6 դյույմ ծավալով արտադրական գիծը հասունանում է, և առաջատար ընկերությունները մուտք են գործել 8 դյույմանոց շուկա:Ներքին զարգացման նախագծերը հիմնականում 6 դյույմ են:Ներկայումս, թեև հայրենական ընկերությունների մեծ մասը դեռևս հիմնված է 4 դյույմանոց արտադրական գծերի վրա, բայց արդյունաբերությունը աստիճանաբար ընդլայնվում է մինչև 6 դյույմանոց, 6 դյույմանոց օժանդակ սարքավորումների տեխնոլոգիայի հասունությամբ, հայրենական SiC ենթաշերտի տեխնոլոգիան նույնպես աստիճանաբար բարելավում է տնտեսությունները: կարտացոլվի մեծ չափերի արտադրական գծերի մասշտաբները, և ներկայիս ներքին 6 դյույմանոց զանգվածային արտադրության ժամանակային բացը կրճատվել է մինչև 7 տարի:Վաֆլի ավելի մեծ չափը կարող է բերել միայնակ չիպսերի քանակի ավելացում, բարելավել բերքատվության մակարդակը և նվազեցնել ծայրամասային չիպսերի համամասնությունը, իսկ հետազոտության և մշակման ծախսերը և բերքատվության կորուստը կպահպանվեն մոտ 7%, դրանով իսկ բարելավելով վաֆլի մակարդակը: օգտագործումը.
Սարքի նախագծման մեջ դեռ շատ դժվարություններ կան
SiC դիոդի առևտրայնացումը աստիճանաբար բարելավվում է, ներկայումս մի շարք հայրենական արտադրողներ նախագծել են SiC SBD արտադրանք, միջին և բարձր լարման SiC SBD արտադրանքները լավ կայունություն ունեն, OBC մեքենայում օգտագործում են SiC SBD+SI IGBT կայունության հասնելու համար։ ընթացիկ խտությունը.Ներկայումս Չինաստանում SiC SBD արտադրանքի արտոնագրային ձևավորման մեջ խոչընդոտներ չկան, իսկ օտար երկրների հետ բացը փոքր է։
SiC MOS-ը դեռ շատ դժվարություններ ունի, SiC MOS-ի և արտասահմանյան արտադրողների միջև դեռ բաց կա, և համապատասխան արտադրական հարթակը դեռ կառուցման փուլում է:Ներկայումս ST, Infineon, Rohm և այլ 600-1700V SiC MOS-ները հասել են զանգվածային արտադրության և ստորագրել և առաքվել են բազմաթիվ արտադրական ճյուղերի հետ, մինչդեռ ներկայիս ներքին SiC MOS դիզայնը հիմնականում ավարտված է, մի շարք դիզայներ արտադրողներ աշխատում են ֆաբրիկաների հետ: վաֆլի հոսքի փուլը, իսկ ավելի ուշ հաճախորդների ստուգումը դեռևս որոշակի ժամանակ է պահանջում, ուստի լայնածավալ առևտրայնացումից դեռ երկար ժամանակ կա:
Ներկայումս հարթ կառուցվածքը հիմնական ընտրությունն է, իսկ խրամուղու տեսակը հետագայում լայնորեն կիրառվում է բարձր ճնշման դաշտում:Հարթ կառուցվածքը SiC MOS արտադրողները շատ են, հարթ կառուցվածքը հեշտ չէ առաջացնել լոկալ խզման խնդիրներ՝ համեմատած ակոսի հետ՝ ազդելով աշխատանքի կայունության վրա, շուկայում 1200V-ից ցածր կիրառական արժեք ունի, իսկ հարթ կառուցվածքը համեմատաբար է։ արտադրության վերջում պարզ է՝ արտադրական և ծախսերի վերահսկման երկու ասպեկտները բավարարելու համար:Գոգավոր սարքն ունի չափազանց ցածր մակաբույծ ինդուկտիվության, արագ միացման արագության, ցածր կորստի և համեմատաբար բարձր կատարողականության առավելությունները:
2--SiC վաֆլի նորություններ
Սիլիցիումի կարբիդի շուկայում արտադրության և վաճառքի աճը, ուշադրություն դարձրեք առաջարկի և պահանջարկի միջև կառուցվածքային անհավասարակշռությանը
Բարձր հաճախականության և հզոր էներգիայի էլեկտրոնիկայի շուկայի պահանջարկի արագ աճով, սիլիցիումի վրա հիմնված կիսահաղորդչային սարքերի ֆիզիկական սահմանափակումը աստիճանաբար աչքի է ընկնում, և երրորդ սերնդի կիսահաղորդչային նյութերը, որոնք ներկայացված են սիլիցիումի կարբիդով (SiC) աստիճանաբար: դառնալ արդյունաբերական.Նյութերի կատարողականի տեսանկյունից սիլիցիումի կարբիդը 3 անգամ ավելի մեծ է սիլիցիումի նյութից, 10 անգամ կրիտիկական ճեղքման էլեկտրական դաշտի ուժգնությունից, 3 անգամ ջերմային հաղորդունակությունից, ուստի սիլիցիումի կարբիդային էներգիայի սարքերը հարմար են բարձր հաճախականության, բարձր ճնշման համար, բարձր ջերմաստիճան և այլ ծրագրեր, օգնում են բարելավել էլեկտրաէներգիայի էլեկտրոնային համակարգերի արդյունավետությունը և հզորության խտությունը:
Ներկայումս SiC դիոդները և SiC MOSFET-ները աստիճանաբար տեղափոխվել են շուկա, և կան ավելի հասուն ապրանքներ, որոնց թվում որոշ ոլորտներում SiC դիոդները լայնորեն օգտագործվում են սիլիցիումի վրա հիմնված դիոդների փոխարեն, քանի որ դրանք չունեն հակադարձ վերականգնման լիցքավորման առավելություն.SiC MOSFET-ը աստիճանաբար օգտագործվում է նաև ավտոմոբիլային, էներգիայի պահպանման, լիցքավորման կույտում, ֆոտոգալվանային և այլ ոլորտներում;Ավտոմոբիլային կիրառությունների ոլորտում մոդուլյարացման միտումը դառնում է ավելի ու ավելի ակնառու, SiC-ի բարձր արդյունավետությունը պետք է ապավինի առաջադեմ փաթեթավորման գործընթացներին՝ տեխնիկապես համեմատաբար հասուն կեղևի կնքմամբ, որպես հիմնական, ապագա կամ պլաստիկ կնքման զարգացում: , դրա մշակման հարմարեցված բնութագրերն ավելի հարմար են SiC մոդուլների համար։
Սիլիցիումի կարբիդի գնի անկման արագությունը կամ երևակայությունից դուրս
Սիլիցիումի կարբիդային սարքերի կիրառումը հիմնականում սահմանափակվում է բարձր գնով, SiC MOSFET-ի գինը նույն մակարդակի տակ 4 անգամ ավելի բարձր է, քան Si-ի վրա հիմնված IGBT-ն, դա պայմանավորված է նրանով, որ սիլիցիումի կարբիդի գործընթացը բարդ է, որի դեպքում աճը մեկ բյուրեղյա և էպիտաքսիալը ոչ միայն խիստ է շրջակա միջավայրի համար, այլև աճի տեմպը դանդաղ է, և մեկ բյուրեղի մշակումը ենթաշերտի մեջ պետք է անցնի կտրման և փայլեցման գործընթացով:Ելնելով իր սեփական նյութական բնութագրերից և ոչ հասուն մշակման տեխնոլոգիայից՝ կենցաղային ենթաշերտի բերքատվությունը 50%-ից պակաս է, և տարբեր գործոններ հանգեցնում են ենթաշերտի և էպիտաքսիալ բարձր գների:
Այնուամենայնիվ, սիլիցիումի կարբիդային սարքերի և սիլիցիումի վրա հիմնված սարքերի արժեքի կազմը տրամագծորեն հակառակ է, առջևի ալիքի ենթաշերտի և էպիտաքսիալ ծախսերը կազմում են ամբողջ սարքի համապատասխանաբար 47% և 23%, ընդհանուր մոտ 70%, սարքի դիզայնը, արտադրությունը: և հետևի ալիքի հերմետիկ կապերը կազմում են ընդամենը 30%, սիլիցիումի վրա հիմնված սարքերի արտադրության արժեքը հիմնականում կենտրոնացած է հետևի ալիքի վաֆլի արտադրության մեջ մոտ 50%, իսկ ենթաշերտի արժեքը կազմում է ընդամենը 7%:Սիլիցիումի կարբիդի արդյունաբերության շղթայի շրջված արժեքի երևույթը նշանակում է, որ վերին հոսանքում գտնվող ենթաշերտի էպիտաքսիա արտադրողներն ունեն խոսելու հիմնական իրավունքը, ինչը ներքին և արտասահմանյան ձեռնարկությունների դասավորության բանալին է:
Շուկայի դինամիկ տեսանկյունից, սիլիցիումի կարբիդի արժեքը նվազեցնելը, ի լրումն սիլիցիումի կարբիդի երկար բյուրեղների և կտրատման գործընթացի բարելավմանը, վաֆլի չափի ընդլայնումն է, որը նաև անցյալում կիսահաղորդիչների զարգացման հասուն ուղին է, Wolfspeed-ի տվյալները ցույց են տալիս, որ սիլիցիումի կարբիդի ենթաշերտը արդիականացվում է 6 դյույմից մինչև 8 դյույմ, որակյալ չիպերի արտադրությունը կարող է աճել 80%-90%-ով և նպաստել եկամտաբերության բարելավմանը:Կարող է նվազեցնել միավորի միասնական արժեքը 50%-ով:
2023 թվականը հայտնի է որպես «8 դյույմանոց SiC առաջին տարի», այս տարի սիլիցիումի կարբիդի ներքին և արտասահմանյան արտադրողները արագացնում են 8 դյույմանոց սիլիցիումի կարբիդի դասավորությունը, ինչպիսին է Wolfspeed-ի խելահեղ ներդրումը 14,55 միլիարդ ԱՄՆ դոլար սիլիցիումի կարբիդի արտադրության ընդլայնման համար, որի կարևոր մասն է կազմում 8 դյույմանոց SiC ենթաշերտի արտադրության գործարանի կառուցումը, մի շարք ընկերություններին ապագայում ապահովել 200 մմ SiC մերկ մետաղի մատակարարումը.Ներքին Tianyue Advanced-ը և Tianke Heda-ն նաև երկարաժամկետ պայմանագրեր են կնքել Infineon-ի հետ՝ ապագայում 8 դյույմանոց սիլիցիումի կարբիդի ենթաշերտեր մատակարարելու համար:
Այս տարվանից սիլիցիումի կարբիդը կարագանա 6 դյույմից մինչև 8 դյույմ, Wolfspeed-ը ակնկալում է, որ մինչև 2024 թվականը 8 դյույմ սուբստրատի միավոր չիպի արժեքը 2022 թվականին 6 դյույմ սուբստրատի միավոր չիպի արժեքի համեմատ կնվազի ավելի քան 60%-ով։ , իսկ ծախսերի անկումը հետագայում կբացի հավելվածների շուկան, նշել են Ji Bond Consulting հետազոտական տվյալները:8 դյույմանոց արտադրանքի ներկա շուկայական մասնաբաժինը 2%-ից պակաս է, և ակնկալվում է, որ մինչև 2026 թվականը շուկայի մասնաբաժինը կաճի մինչև մոտ 15%:
Իրականում, սիլիցիումի կարբիդի ենթաշերտի գնի անկման տեմպերը կարող են գերազանցել շատերի երևակայությունը, 6 դյույմանոց սուբստրատի ներկայիս շուկայական առաջարկը կազմում է 4000-5000 յուան/հատ, համեմատած տարեսկզբի հետ, շատ է նվազել, ակնկալվում է հաջորդ տարի իջնել 4000 յուանից ցածր, հարկ է նշել, որ որոշ արտադրողներ առաջին շուկան ստանալու համար վաճառքի գինը իջեցրել են մինչև ստորև նշված արժեքի գիծը, բացել են գնային պատերազմի մոդելը, որը հիմնականում կենտրոնացած է սիլիցիումի կարբիդի սուբստրատի մեջ: մատակարարումը համեմատաբար բավարար է եղել ցածր լարման ոլորտում, տեղական և արտասահմանյան արտադրողները ագրեսիվորեն ընդլայնում են արտադրական հզորությունները կամ թույլ են տալիս, որ սիլիցիումի կարբիդի ենթաշերտի գերմատակարարումը ավելի շուտ սկսվի, քան ենթադրվում էր:
Հրապարակման ժամանակը` Հունվար-19-2024