8 դյույմ SiC Արտադրության դասի վաֆլի 4H-N SiC ենթաշերտ

Կարճ նկարագրություն.

8 դյույմանոց SiC ենթաշերտերն օգտագործվում են բարձր հզորության էլեկտրոնային սարքերում, ինչպիսիք են հզոր MOSFET-ները (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors), Schottky դիոդները և այլ ուժային կիսահաղորդչային սարքեր:

Նամակ ուղարկեք մեզ

Ապրանքի մանրամասն

Ապրանքի պիտակներ

Հետևյալ աղյուսակը ցույց է տալիս մեր 8 դյույմ SiC վաֆլիների բնութագրերը.

8 դյույմ N- տիպի SiC DSP բնութագրեր
Համար	Նյութ	Միավոր	Արտադրություն	Հետազոտություն	Կեղծիք
1: Պարամետրեր
1.1	պոլիտիպ	--	4H	4H	4H
1.2	մակերեսային կողմնորոշում	°	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5
2: Էլեկտրական պարամետր
2.1	դոպանտ	--	n-տիպի ազոտ	n-տիպի ազոտ	n-տիպի ազոտ
2.2	դիմադրողականություն	ohm · սմ	0,015~0,025	0,01~0,03	NA
3: Մեխանիկական պարամետր
3.1	տրամագիծը	mm	200±0.2	200±0.2	200±0.2
3.2	հաստությունը	մկմ	500±25	500±25	500±25
3.3	Կտրուկ կողմնորոշում	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
3.4	Անցման խորություն	mm	1~1,5	1~1,5	1~1,5
3.5	LTV	մկմ	≤5 (10 մմ*10 մմ)	≤5 (10 մմ*10 մմ)	≤10 (10 մմ*10 մմ)
3.6	TTV	մկմ	≤10	≤10	≤15
3.7	Խոնարհվել	մկմ	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	Շեղել	մկմ	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0.2	Ra≤0.2	Ra≤0.2
4: Կառուցվածք
4.1	միկրոխողովակների խտությունը	ea/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	մետաղի պարունակությունը	ատոմներ/սմ2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	ea/cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	BPD	ea/cm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	TED	ea/cm2	≤7000	≤10000	NA
5. Ճակատային որակ
5.1	ճակատ	--	Si	Si	Si
5.2	մակերեսի ավարտ	--	Si-face CMP	Si-face CMP	Si-face CMP
5.3	մասնիկ	ea / վաֆլի	≤100 (չափը≥0,3 մկմ)	NA	NA
5.4	քերծվածք	ea / վաֆլի	≤5, Ընդհանուր երկարությունը≤200 մմ	NA	NA
5.5	Եզր չիպսեր/հատումներ/ճաքեր/բծեր/աղտոտվածություն	--	Ոչ մեկը	Ոչ մեկը	NA
5.6	Պոլիտիպային տարածքներ	--	Ոչ մեկը	Տարածք ≤10%	Մակերես ≤30%
5.7	առջեւի նշում	--	Ոչ մեկը	Ոչ մեկը	Ոչ մեկը
6: Մեջքի որակը
6.1	ետ ավարտ	--	C-դեմքի պատգամավոր	C-դեմքի պատգամավոր	C-դեմքի պատգամավոր
6.2	քերծվածք	mm	NA	NA	NA
6.3	Ետքի եզրերի թերությունները չիպսեր/նեղումներ	--	Ոչ մեկը	Ոչ մեկը	NA
6.4	Մեջքի կոպտություն	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	Հետևի նշում	--	Խազ	Խազ	Խազ
7: եզր
7.1	եզր	--	Շամֆեր	Շամֆեր	Շամֆեր
8: Փաթեթ
8.1	փաթեթավորում	--	Epi-պատրաստ է վակուումով փաթեթավորում	Epi-պատրաստ է վակուումով փաթեթավորում	Epi-պատրաստ է վակուումով փաթեթավորում
8.2	փաթեթավորում	--	Բազմավաֆեր ձայներիզների փաթեթավորում	Բազմավաֆեր ձայներիզների փաթեթավորում	Բազմավաֆեր ձայներիզների փաթեթավորում