6 դյույմ SiC Epitaxiy վաֆլի N/P տեսակը ընդունում է հարմարեցված
Սիլիցիումի կարբիդի էպիտաքսիալ վաֆլի պատրաստման գործընթացը քիմիական գոլորշիների նստեցման (CVD) տեխնոլոգիայի կիրառմամբ մեթոդ է:Ստորև ներկայացված են համապատասխան տեխնիկական սկզբունքները և պատրաստման գործընթացի քայլերը.
Տեխնիկական սկզբունք.
Քիմիական գոլորշիների նստեցում. Օգտագործելով հումքի գազը գազային փուլում, հատուկ ռեակցիայի պայմաններում, այն քայքայվում և տեղադրվում է ենթաշերտի վրա՝ ձևավորելով ցանկալի բարակ թաղանթը:
Գազաֆազային ռեակցիա. պիրոլիզի կամ ճեղքման ռեակցիայի միջոցով գազային փուլում գտնվող տարբեր հումքի գազերը քիմիական կերպով փոխվում են ռեակցիայի խցիկում:
Պատրաստման գործընթացի քայլերը.
Ենթաշերտի մշակում. Ենթաշերտը ենթարկվում է մակերեսի մաքրման և նախնական մշակման՝ էպիտաքսիալ վաֆլի որակն ու բյուրեղությունն ապահովելու համար:
Ռեակցիայի խցիկի վրիպազերծում. կարգավորել ռեակցիայի խցիկի ջերմաստիճանը, ճնշումը և հոսքի արագությունը և այլ պարամետրերը՝ ապահովելու ռեակցիայի պայմանների կայունությունն ու վերահսկումը:
Հումքի մատակարարում. անհրաժեշտ գազային հումքը մատակարարել ռեակցիայի խցիկ՝ անհրաժեշտության դեպքում խառնելով և վերահսկելով հոսքի արագությունը:
Ռեակցիայի գործընթացը. Ռեակցիայի խցիկը տաքացնելով, գազային հումքը խցիկում ենթարկվում է քիմիական ռեակցիայի՝ արտադրելու ցանկալի նստվածք, այսինքն՝ սիլիցիումի կարբիդի թաղանթ:
Սառեցում և բեռնաթափում. Ռեակցիայի վերջում ջերմաստիճանը աստիճանաբար իջեցվում է ռեակցիայի խցիկում նստվածքները սառեցնելու և ամրացնելու համար:
Էպիտաքսիալ վաֆլի հյուսում և հետմշակում. նստած էպիտաքսիալ վաֆլը զտվում և հետմշակվում է` բարելավելու իր էլեկտրական և օպտիկական հատկությունները:
Սիլիցիումի կարբիդի էպիտաքսիալ վաֆլի պատրաստման գործընթացի հատուկ քայլերն ու պայմանները կարող են տարբեր լինել՝ կախված հատուկ սարքավորումներից և պահանջներից:Վերը նշվածը միայն ընդհանուր գործընթացի հոսք և սկզբունք է, կոնկրետ գործողությունը պետք է ճշգրտվի և օպտիմալացվի ըստ փաստացի իրավիճակի:
Մանրամասն դիագրամ
![WechatIMG321](http://www.xkh-semitech.com/uploads/WechatIMG321.jpg)
![WechatIMG320](http://www.xkh-semitech.com/uploads/WechatIMG320.jpg)