2 դյույմ SiC ձուլակտոր Dia50.8mmx10mmt 4H-N միաբյուրեղ
SiC բյուրեղային աճի տեխնոլոգիա
SiC-ի առանձնահատկությունները դժվարացնում են միայնակ բյուրեղների աճեցումը:Սա հիմնականում պայմանավորված է նրանով, որ մթնոլորտային ճնշման դեպքում չկա հեղուկ փուլ Si : C = 1: 1 ստոյխիոմետրիկ հարաբերակցությամբ, և հնարավոր չէ SiC աճեցնել ավելի հասուն աճի մեթոդներով, ինչպիսիք են ուղղակի գծագրման մեթոդը և ընկնող կարասի մեթոդը, որոնք կիսահաղորդչային արդյունաբերության հենակետերն են։Տեսականորեն, Si : C = 1: 1 ստոյխիոմետրիկ հարաբերակցությամբ լուծում կարող է ստացվել միայն այն դեպքում, երբ ճնշումը մեծ է 10E5atm-ից և ջերմաստիճանը բարձր է 3200℃:Ներկայումս հիմնական մեթոդները ներառում են PVT մեթոդը, հեղուկ փուլային մեթոդը և բարձր ջերմաստիճանի գոլորշի փուլային քիմիական նստեցման մեթոդը:
SiC վաֆլիները և բյուրեղները, որոնք մենք տրամադրում ենք, հիմնականում աճեցվում են ֆիզիկական գոլորշիների տեղափոխման միջոցով (PVT), և հետևյալը PVT-ի հակիրճ ներածություն է.
Ֆիզիկական գոլորշիների տեղափոխման (PVT) մեթոդը ծագել է 1955 թվականին Լելիի կողմից հորինված գազաֆազային սուբլիմացիայի տեխնիկայից, որի դեպքում SiC փոշին տեղադրվում է գրաֆիտի խողովակի մեջ և տաքացվում մինչև բարձր ջերմաստիճան, որպեսզի SiC փոշին քայքայվի և սուբլիմացվի, իսկ հետո՝ գրաֆիտը։ խողովակը սառչում է, և SiC փոշու քայքայված գազաֆազ բաղադրիչները նստում և բյուրեղանում են որպես SiC բյուրեղներ գրաֆիտի խողովակի շրջակա տարածքում:Չնայած այս մեթոդը դժվար է ձեռք բերել մեծ չափի SiC միաբյուրեղներ, և գրաֆիտի խողովակի ներսում նստեցման գործընթացը դժվար է վերահսկել, այն գաղափարներ է տալիս հետագա հետազոտողների համար:
Ե.Մ. Թաիրովը և այլն:Ռուսաստանում այս հիմքի վրա ներդրվեց սերմերի բյուրեղի հայեցակարգը, որը լուծեց բյուրեղների անվերահսկելի ձևի և SiC բյուրեղների միջուկավորման դիրքի խնդիրը:Հետագա հետազոտողները շարունակեցին կատարելագործել և, ի վերջո, մշակեցին ֆիզիկական գոլորշիների փոխանցման (PVT) մեթոդը, որն այսօր օգտագործվում է արդյունաբերական ոլորտում:
Որպես SiC բյուրեղների աճի ամենավաղ մեթոդ, PVT-ն ներկայումս հանդիսանում է SiC բյուրեղների աճի ամենահիմնական մեթոդը:Համեմատած այլ մեթոդների հետ՝ այս մեթոդը ցածր պահանջներ ունի աճի սարքավորումների, աճի պարզ գործընթացի, ուժեղ կառավարելիության, մանրակրկիտ մշակման և հետազոտության համար և արդեն արդյունաբերականացված է:
Մանրամասն դիագրամ
![asd (1)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-19.jpg)
![asd (2)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-29.jpg)
![asd (3)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-35.jpg)
![asd (4)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-42.jpg)