2 դյույմ 50,8 մմ շափյուղա վաֆլի C-Plane M-plane R-plane A-ինքնաթիռ

2 դյույմ 50,8 մմ շափյուղա վաֆլի C-ինքնաթիռ M-ինքնաթիռ R-ինքնաթիռ A-ինքնաթիռ Առաջարկվող պատկեր

Կարճ նկարագրություն.

Շափյուղան ֆիզիկական, քիմիական և օպտիկական հատկությունների յուրահատուկ համադրությամբ նյութ է, որն այն դարձնում է դիմացկուն բարձր ջերմաստիճանի, ջերմային ցնցումների, ջրի և ավազի էրոզիայի և քերծվածքների նկատմամբ։

Նամակ ուղարկեք մեզ

Ապրանքի մանրամասն

Ապրանքի պիտակներ

Նկարագրություն

Sapphire բյուրեղը լայնորեն օգտագործվում է կիսահաղորդչային (MOCVD գալիումի նիտրիդային էպիտաքսի սուբստրատ), ժամացույցների, բժշկական, կապի, լազերային, ինֆրակարմիր, էլեկտրոնիկայի, չափիչ գործիքների, ռազմական և օդատիեզերական ոլորտում և շատ այլ առաջադեմ բարձր տեխնոլոգիաների ոլորտներում: Մեր ընկերությունը երկար ժամանակ արտադրում է բարձր ճշգրտության շափյուղա վաֆլի՝ ≧0.1 մմ հաստությամբ և արտաքին չափսով ≧Φ1": Բացի սովորական Φ2 ", Φ3 ", Φ4 ", Φ6 ", Φ8", Φ12 ", այլ չափսեր կարող են լինել. հարմարեցված, խնդրում ենք կապվել մեր վաճառքի անձնակազմի հետ:

Չափսը՝ 2 դյույմ, 3 դյույմ, 4 դյույմ, 6 դյույմ, 8 դյույմ, 12 դյույմ

Հաստությունը՝ 100մմ, 280մմ, 300մմ, 350մմ, 430մմ, 500մմ, 650մմ, 1մմ կամ այլք

Կողմնորոշում. C-Axis, M-Axis, R-Axis, A-Axis C սխալ կտրվածք A կամ այլք

Մակերեւույթը՝ SSP, DSP, Grinding

Նկարագրություն. Շափյուղան ալյումինի մեկ բյուրեղ է, որը բնության մեջ երկրորդ ամենադժվար նյութն է՝ զիջելով միայն ադամանդին: Sapphire-ն ունի լավ լույսի փոխանցում, բարձր ուժ, բախման դիմադրություն, մաշվածության դիմադրություն, կոռոզիոն դիմադրություն և դիմադրություն բարձր ջերմաստիճանի և ճնշման, կենսահամատեղելիություն, կարող է պատրաստվել տարբեր ձևերի առարկաների: Այն իդեալական ենթաշերտի նյութ է կիսահաղորդչային օպտոէլեկտրոնային սարքեր պատրաստելու համար։

Դիմում

Sapphire մեկ բյուրեղը հիանալի բազմաֆունկցիոնալ նյութ է: Այն կարող է լայնորեն կիրառվել բազմաթիվ ոլորտներում, ինչպիսիք են արդյունաբերությունը, պաշտպանությունը և գիտական հետազոտությունները (օրինակ՝ բարձր ջերմաստիճանի դիմացկուն ինֆրակարմիր պատուհան): Միևնույն ժամանակ, այն նաև լայնորեն օգտագործվող մեկ բյուրեղյա ենթաշերտի նյութ է: Այն նախընտրելի ենթաշերտն է ներկայիս կապույտ, մանուշակագույն, սպիտակ լույս արտանետող դիոդների (LED) և կապույտ լազերային (LD) արդյունաբերության համար (պահանջվում է էպիտաքսիայի ենթարկել գալիումի նիտրիդային թաղանթի շերտը շափյուղայի հիմքի վրա), ինչպես նաև կարևոր գերհաղորդիչ բարակ թաղանթային ենթաշերտ է: Ի լրումն Y- շարքի, La- շարքի և այլ բարձր ջերմաստիճանի գերհաղորդիչ թաղանթների արտադրությունից, այն կարող է օգտագործվել նաև նոր գործնական MgB2 (մագնեզիումի երկբորիդ) գերհաղորդիչ թաղանթներ աճեցնելու համար: